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记忆体大厂每年扩增40%高昂资本支出,致力提升3DNAND产
上传时间:2020-08-06点击:683次
记忆体大厂每年扩增40%高昂资本支出,致力提升3DNAND产

据调研机构 IC Insights 週二最新研报指出,预计全球主要 NAND 供应商将大幅扩大资本支出,来拉高产能,估计今年的 NAND 记忆体价格将进一步走跌。

记忆体大厂每年扩增40%高昂资本支出,致力提升3DNAND产
近年 NAND 资本支出比较

如上图 所示,美光认为,NAND 记忆体产业为了维持出货成长,每年都将增加 40% 资本支出扩增产能,2015 年资本支出为 90 亿美元,到 2018 年已增加 2 倍达 220 亿美元,之所以有这幺庞大的资金成长,是各厂都积极往 3D NAND 方向布局,由于 3D NAND 需要更多的晶圆厂设备与无尘室,造成资本支出金额成长。

全球五大 NAND 记忆体供应商也都声称,相信未来几年内,NAND 出货量每年的成长率平均约为 40%。而如上图所示,去年美光为要支援 NAND 记忆体 40% 的出货量增长,事实上实际资本支是出比所需之资本支出还要超出 27%,而今年预计将会有超过 41% 的额外资本支出,资本支出预算一路扩大。

记忆市场的历史先驱表明,过多资本支出通常会导致产能过剩,以及价格疲软;三星、海力士、美光、英特尔、东芝、Western Digital 和武汉新芯都计画未来几年内大幅提升 3D NAND 记忆体产出数量,其他新的中国厂商也可能会持续进入这个市场。IC Insights 认为,产业各厂高估 3D NAND 市场需求,风险持续不断升温。

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